| 氮化鋁陶瓷散熱基片具有超過170W/m·k的高熱導率(為氧化鋁的7倍)、較低的介電常數和介質損耗、可靠的絕緣性能，優良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，為理想的絕緣散熱基板和封裝材料，廣泛應用于大規模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件等高技術領域。如：高功率微波射頻器件、高亮度LED、光電通訊、半導體零件、電力電子器件等等。
目前高功率LED黏著基板大致有硅基板與陶瓷基板，陶瓷基板又分為氧化鋁基板與氮化鋁基板，其中氮化鋁基本的散熱效益是硅基板的1.4倍，更為氧化鋁基板的7倍之多。因此氮化鋁基板應用于高功率LED的散熱效益顯著，進而大幅提升LED的使用壽命。相較于硅基板，氮化鋁基板可提升LED壽命3,000~4,000小時;與氧化鋁基板相較，更可高出6,000~7,000小時以上。
過去的制程方法，都利用粉末冶金的技術生產氮化鋁基片，經過粉末混合、壓合成型及燒結等方式來生產制造氮化鋁陶瓷散熱片，本計劃將研究使用傳統表面熱處理的制程技術開發高散熱氮化鋁的基材，以運用在提升LED散熱性能技術之開發，具有高量產性與低成本的特性。未來本計劃若能順利完成預期目標，不但具有技術移轉授權的潛力，同時亦可輔導傳統熱處理產業升級至半導體與光電產業，深具投資開發潛能。
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Treatment, Industrial Furnace Exhibition
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